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Baixo quadro do Invar 36 da precisão da expansão para aplicações do semicondutor

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Baixo quadro do Invar 36 da precisão da expansão para aplicações do semicondutor
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Especificações
Lugar de origem: Jiangsu, China
aplicação: extensamente
Tipo: Barra do níquel
Ni (minuto): 36
Número do modelo: invar 36
Destacar:

Quadro do Invar 36 da precisão

,

Baixo Invar 36 da expansão

,

Invar 36 das aplicações do semicondutor

Informação básica
Lugar de origem: Jiangsu, China
Marca: BLM
Certificação: ISO
Número do modelo: BLM-S
Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: Embalagem com caixa de madeira
Tempo de entrega: 25days
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 5 toneladas pelo mês
Descrição de produto

Quadro do Invar 36 da precisão com baixa expansão para aplicações do semicondutor

1 . Descrição:

O Invar do nome vem da palavra invariável, referindo sua falta relativa da expansão ou da contração com mudanças de temperatura.

Foi inventado em 1896 pelo físico suíço Charles Édouard Guillaume. Recebeu o prêmio nobel na física em 1920 para esta descoberta, que permitiu melhorias em instrumentos científicos.
OhmAlloy-4J36 (Invar) é usado onde a estabilidade dimensional alta é exigida, como instrumentos de precisão, pulsos de disparo, calibres sísmicos do rastejamento, quadros da máscara perfurada da televisão, válvulas nos motores, e relógios antimagnéticos. Na terra que examina, quando o nivelamento de primeira ordem da elevação (da elevada precisão) deve ser executada, o pessoal nivelado (que nivela a haste) usado é feito do Invar, em vez da madeira, da fibra de vidro, ou dos outros metais. Os suportes do Invar foram usados em alguns pistões para limitar sua expansão térmica dentro de seus cilindros.

2 . Composition% normal


Ni

35~37.0

Fe

Bal.

Co

-

Si

≤0.3

Mo

-

Cu

-

Cr

-

Manganês

0.2~0.6

C

≤0.05

P

≤0.02

S

≤0.02


Propriedades físicas típicas


Densidade (g/cm3)

8,1

Resistividade elétrica em 20ºC (mm2/m)

0,78

Fator de temperatura da resistividade (20ºC~200ºC) X10-6/ºC

3.7~3.9

Condutibilidade térmica, λ/com (m*ºC)

11

ºC do Tc/do ponto do curie

230

Módulo elástico, e Gpa

144

3. aplicação

no rádio e nos dispositivos eletrónicos,
peças da fabricação em controles de aviões
sistema ótico e do laser
nos termostatos bimetálicos e nos conjuntos da haste e de tubo para reguladores da temperatura

Baixo quadro do Invar 36 da precisão da expansão para aplicações do semicondutor 0

4 . Propriedades mecânicas típicas


Resistência à tração

Alongamento

Mpa

%

641

14

689

9

731

8

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